10月14日，英诺赛科（02577.HK）发布公告称，公司正与英伟达息争，共同股东支撑800VDC电源架构的全氮化镓（GaN）电源处治有讨论，以促进新一代东说念主工智能数据中心“Al Factories”的发展，大幅莳植动力范畴及功率密度，并减少能耗与碳排放。

受此音问影响，英诺赛科10月14日盘中一度大涨率先18%，随后涨幅有所收窄，收盘涨4.91%至81.2港元。

英诺赛科称，800 VDC机架电源架构为东说念主工智能数据中心带来粉碎性进展，可终了更高范畴、更高功率密度，同期降拙劣耗需求并减少二氧化碳排放。英诺赛科正与英伟达息争，联袂支撑800 VDC电源架构，为新一代GPU路子图的膨胀提供保险。

基于48V电压的传统东说念主工智能系统正面对严峻的挑战：范畴低下、铜耗过高，率先45%的总功耗消耗在散热上。改日的东说念主工智能集群（如搭载率先500块GPU的机架）若沿用老式PSU电源联想，将无空间容纳计算单位，而800 VDC架构恰是支撑系统从千瓦级跃升至兆瓦级的处治有讨论。

除了向800V机架电源过渡，该架构还条目在800V到1V的电压调遣中终了超高功率密度和超高范畴。只消氮化镓功率器件简略同期振作这些严苛条目。同期，为振作800 VDC的功率密度条目，电源开关频率必须莳植至近1MHz，以消弱磁性元件和电容器的尺寸。现存机架式电源的典型开关频率最高可达300kHz，要是莳植至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。

动作业内唯独的全栈氮化镓供应商及率先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯独终了1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路处治有讨论。这使英诺赛科成为唯独有才略为统统调遣阶段提供全GaN功率处治有讨论的供应商，自由应付改日架构为振作更高功率需求的演变。

在可靠性方面，英诺赛科的氮化镓相通证明不凡。其第三代器件已通过严苛的加快应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温（175°C）考证及大样本失效考证。自主建造的在线动态电阻监测与遥远板级应力测试，确保其数据中心级居品的高性能使命寿命率先20年。

英诺赛科暗意，公司第三代氮化镓器件具备不凡的快速开关特质、高范畴、高功率密度及优异可靠性，通过整合800 VDC电源架构与公司氮化镓时刻，东说念主工智能数据中心将终了从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃，开启更高效、更高性能、更可靠且更环保的东说念主工智能加快计算新期间。

摩根士丹利发表阐发，初度遮蔽英诺赛科，评级“与大市同步”开yun体育网，看法价为95港元。自2025年7月底文书与英伟达息争以来，英诺赛科的股价险些翻倍。该行以为，英诺赛科是一家率先的氮化镓功率集成电路厂商，笃信该公司已作念好充分准备，从东说念主工智能数据中心、仿东说念主机器东说念主和电动车等遍及增长初始身分中获益。另外，市集竞争仍然浓烈，该行以为该公司当今的估值在很猛历程上反应了市集的高预期。